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5 Jobs gefunden

Montanuniversität Leoben (MUL)  •  2022-02-28
  Leoben, AT

Universitätsprofessur (A1) für das Fachgebiet Gießereitechnik - Modellierung und Simulation

An der Montanuniversität ist am Department Metallurgie die Stelle eines*r Universitätsprofessor*in als zeitlich unbefristetes privatrechtliches Dienstverhältnis zur Montanuniversität Leoben nach Angestelltengesetz in vollem Beschäftigungsausmaß zu besetz…

infineon technologies  •  2024-04-21
  Villach, AT

Dissertation: Zeitaufgelöste Charakterisierung und Modellierung von Degradationsmechanismen in Leistungstransistoren (w/m/div)

An einer Universität promovieren und gleichzeitig Berufserfahrung sammeln - ein idealer Start für Ihre Karriere. Bringen Sie Ihre Forschung bei uns voran und profitieren Sie von unserem großen Netzwerk an Doktorand*innen und der Expertise einer Universität…

bios bioenergiesysteme gmbh  •  2024-04-16
  Graz, AT

Forschungs- und Entwicklungsabteilung mit dem Schwerpunkt Modellierung & Simulation

Wenn es darum geht die Biomassefeuerung der Zukunft zu entwerfen, eine neuartige Stromerzeugungstechnik auf Biomassebasis zu entwickeln, ein intelligentes biomassebasiertes Hybridsystem zu konzipieren und nachfolgend zu demonstrieren, dann ist BIOS der richtig…

strabag ag zentrale technik  •  2024-03-30
  Wien, AT

Fachprojektleiter:in Planung / Modellierung Verkehrswegebau

Aufgaben Als Teil eines jungen Teams bearbeiten Sie abwechslungsreiche Projekte im Bereich der Verkehrsinfrastruktur (national und international)Konzeption, Dimensionierung, Trassierung und Planung von Verkehrsanlagen in allen PlanungsphasenAbwicklung von Proj…

infineon technologies  •  2024-04-11
  Villach, AT

Dissertation: Zeitaufgelöste Charakterisierung und Modellierung von Degradationsmechanismen in Leistungstransistoren (w/m/div)

Ihre Aufgaben im Rahmen der Dissertation: Einschulung in Halbleiterphysik, SiC, GaN und Si-Technologieentwicklung Aufbau und Erweiterung einer Gate-Spannung - Drain-Strom-Regelungsschaltung zur Bestimmung der Einsatzspannung eines Si-Transistors innerhalb 100n…